经由过程太空验证，中国首款低压抗辐射碳化硅?

IT之家 1 月 22 日新闻，功率器件是实现电能变更跟把持的中心，被誉为电力电子体系的心脏，是最为基本、最为普遍利用的器件之一。中国迷信院微电子研讨所昨日发布，该院刘新宇、汤益丹团队跟中国迷信院空间利用工程与技巧核心刘彦平易近团队等发展配合，独特研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源体系，已搭乘天舟八号货运飞船并胜利经由过程太空第一阶段验证并实现其在电源体系中的在轨利用。绝对于硅（Si）基功率器件，碳化硅品级三代半导体资料具有禁带宽度年夜、击穿场强高、饱跟电子速率快等上风，可年夜幅进步空间电源的传输功率跟动力转换效力，简化散热装备，下降发射本钱或增添装载容量，功率-体积比进步近 5 倍，满意空间电源体系高能效、小型化跟轻量化需要。中国迷信院表现，本次搭载的 SiC 载荷体系重要义务为国产自研高压抗辐射 SiC 功率器件（IT之家注：SiC 二极管跟 SiC MOSFET 器件）的空间验证及其在航天电源中的利用验证、SiC 功率器件综合辐射效应等迷信研讨，无望逐渐晋升航天数字电源功率，支持将来单电源模块到达千瓦级。经由过程一个多月的在轨加电实验，SiC 载荷测试数据畸形，高压 400V SiC 功率器件在轨实验与利用验证实现，在电源体系中静态、静态参数合乎预期。本次搭载第一阶段义务实现，实现了首款国产高压 400V 抗辐射 SiC 功率器件空间情况顺应性验证及其在电源体系中的在轨利用验证，标记着在以“克”为计量的空间载荷需要下，SiC 功率器件将成为年夜幅晋升空间电源效力的优选计划，牵引空间电源体系的进级换代。